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硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.
4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制
【摘 要】
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硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.
【机 构】
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信息产业部电子第五十五研究所(南京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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