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Heusler合金是一种半金属材料,理论上预言其自旋极化率在费米面附近能达到100%,而且许多Heusler合金具有很高的居里温度,因此被普遍认为是一种极具应用潜力的自旋电子学材料。本研究利用MBE在GaAs(001)衬底上外延生长了Heusler合金Co2FeAl薄膜,得到了质量较高的单晶样品,掌握了合适的生长参数。