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宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度、可通过热氧化法生长SiO2膜等优点，在电力、电动、通讯、航天和军事系统中具有广阔应用前景。但高的SiO2/SiC界面态密度使实际制作的SiC MOSFET沟道迁移率低，严重影响其性能。为改善SiO2/SiC界面特性，Ekoue A等人采用湿氧二次氧化工艺(wet-ROA)进行处理,并取得一定效果，但wet-ROA工艺改善SiO2/SiC界面电学特性的微观机理尚未完全明晰，有待进一步研究。本文采用变角x射线光电子谱(ADxPS)技术，对经wet-RDA处理前后的SiO2/4H-SiC界面进行分析，结合过渡区成分含量比较、过渡区厚度计算和MOS结构SiO2/ISiC界面电学特性测量，揭示wet-ROA工艺对SiO2/SiC界面特性的影响及其微观机理。