【摘 要】
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近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常规的刻蚀技术带来了难题.湿法腐蚀较为困难,干法刻蚀技术成为首选.本文在利用ICP-98型高密度等离子刻蚀机进行GaN的刻蚀研究中,通过添加CF气体,初步解决了ICP刻蚀
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常规的刻蚀技术带来了难题.湿法腐蚀较为困难,干法刻蚀技术成为首选.本文在利用ICP-98型高密度等离子刻蚀机进行GaN的刻蚀研究中,通过添加CF<,4>气体,初步解决了ICP刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留问题,改善了刻蚀形貌.
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利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了InGaAsP与InGaAsP四元合金应变界面重空穴的导带边带阶.
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