【摘 要】
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顶发射有机电致发光器件应用到有源矩阵显示领域中具有开口率大的特点,另外由于n-沟道硅衬底具有较高的载流子迁移率,并且工艺比较成熟,为了利用这些优点并将其和有机电致发
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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顶发射有机电致发光器件应用到有源矩阵显示领域中具有开口率大的特点,另外由于n-沟道硅衬底具有较高的载流子迁移率,并且工艺比较成熟,为了利用这些优点并将其和有机电致发光器件集成在一起,有必要研究倒置结构项发射有机电致发光器件(ITOLED)的特性。我们研究了采用m-MTDATA:MoOx做为掺杂空穴注入层的倒置顶发射有机电致发光器件。掺杂层m-MTDATA:MoOx不仅能够提高载流子的注入效率,降低器件的开启电压,而且在不影响器件工作电压的条件下,通过改变这一掺杂层的厚度,还可以实现对器件电致发光光谱的调制,这对我们以后制备向光或全彩色顶发射有机电致发光器件提供了另一种思路。我们制备的器件采用掺杂了 C545T的Alq3做为发光层。最大功率效率可以达到2.5 lm·w-1,开启电压约为5V,当掺杂注入层的厚度从10nm变化到40 nm时,器件的EL光谱覆盖范围发生了明显的变化。
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