【摘 要】
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利用激光分子束外延系统在Si(100)衬底上,温度为1000℃,分别在真空、氧压为0.1Pa、1.0Pa和10Pa的条件下制备了含纳米硅二氧化硅薄膜。通过X射线衍射可以发现:在制备的薄膜中
【机 构】
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聊城大学 物理科学与信息工程学院,山东聊城 252059
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用激光分子束外延系统在Si(100)衬底上,温度为1000℃,分别在真空、氧压为0.1Pa、1.0Pa和10Pa的条件下制备了含纳米硅二氧化硅薄膜。通过X射线衍射可以发现:在制备的薄膜中含有不同结构的硅晶颗粒。在真空和氧压分别为0.1Pa、1Pa时制备的薄膜,硅晶呈多晶态,当工作气压升为10Pa时,薄膜中石硅晶颗粒变大,结构变差,薄膜呈现非晶态。同时,在不同条件下制备的样品,室温下都有较强的紫光发射,随着薄膜制备中氧压的增加,由于薄膜中硅品颗粒量子限制效应的作用,带隙逐渐变小,紫光发射发生红移,工作气压的升高,也导致薄膜中发光中心的复合变弱,发光强度也逐渐降低。所有这些我们的理论模型符合的很好。
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