【摘 要】
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在不同的衬底温度下,使用直流磁控溅射在硅片上制备五氧化二钒(V2O5)薄膜.利用拉曼光谱和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度与退火对V2O5薄膜结构的影响.在溅射沉积过程中,衬底温
【机 构】
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兰州大学 物理科学与技术学院,甘肃 兰州 730000
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在不同的衬底温度下,使用直流磁控溅射在硅片上制备五氧化二钒(V2O5)薄膜.利用拉曼光谱和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度与退火对V2O5薄膜结构的影响.在溅射沉积过程中,衬底温度较低时(＜500℃)制备得到层状结构的a-V2O5薄膜,当衬底温度达到550℃时,得到了β-V2O5薄膜,其原因可能是较高的衬底温度会导致V2O5结构由a相向β相转变.位于978cm-1的β-V2O5结构的拉曼特征峰随着退火温度的增大而向高波数偏移,说明高温下β-V2O5薄膜的结构并不稳定.
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