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该文建立了一种集成电路金属化系统热传导的理论模型。利用有限差分法分别计算出了Si衬底上氧化层、金属层和钝化层的瞬态温度分布，发现介质钝化可以有效地降低金属膜上的温升，从而使金属膜具有耐高瞬时电流脉冲的能力。该文还采用红外微像仪对不同电流密度、不同介质覆盖下铝膜的温升及温度分布进行了实际观测，证实了介质钝化对金属化线条温度效应的改善。（本刊录）