长波长氮化物LED的发光效率仍然达不到和蓝光相匹配的程度，这严重影响了无荧光粉单芯片白光LED的效率提高和应用。其中，发光量子阱中的空穴注入效率是制约长波长LED发光效率的关键因素之一。如何提高长波长LED量子阱的空穴注入效率是一项艰巨和充满挑战的任务。为此，我们提出用一种双波长(蓝/绿)非对称耦合多量子阱结构来调制绿光发光强度，以期望通过这样一个研究，利用耦合多量子阱结构探寻实现更长波长的LED发光增强的可能。电荧光测试结果表明，随着耦合势垒变窄，绿光发光强度明显增强。一方面，在我们的结构中，蓝光量子阱可以作为一个空穴存储层，并使空穴能够隧穿通过很窄的耦合势垒到达绿光量子阱中，使得绿光量子阱中的空穴数目增多。另一方面，蓝光量子阱的有效势垒高度更低，能够促进了从p型区到有源区的空穴输运过程。两个过程引起的绿光量子阱中空穴注入效率的提高，从而导致了辐射复合效率的增强。另外，由于空穴注入效率的提高，绿光量子阱的droop效应也得到了缓解。