块体铜与镀铜硅基底碳纳米管强流脉冲发射发射能力的比较

来源 :中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dingz450519
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采用酞菁铁高温热解方法分别在块体铜基底和化学镀铜硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Cu-CNTs和Si/Cu-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了研究.研究结果表明:在相同峰值为15.5V/μm的脉冲电场下,阴极的峰值发射电流从Si/Cu-CNTs的5.27KA提高到Cu-CNTs的5.56KA,Cu-CNTs的发射电流比Si/Cu-CNTs提高了5.5%.随脉冲电场峰值的增大,阴极的发射电流峰值呈线性增加,在27.6V/μm的脉冲电场下,阴极的峰值发射电流从Si/Cu-CNTs的14.1KA提高到Cu-CNTs的14.4KA,各种场强下Cu-CNTs的发射电流均比Si/Cu-CNTs有所提高。
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