论文部分内容阅读
利用高温管式炉,Pt作为催化剂,金属Ga和氮气直接反应得到了不同形貌的GaN纳米结构。通过研究不同温度和不同氨气压强下GaN纳米结构的形貌,提出其中的纳米线是典型的顶部气-液-固(vLS)生长,而其他纳米结构是在已经成核的GaN晶粒上自催化(SCG)的气-固(VS)生长的结果。GaN纳米纳米锥串则是vLS生长的纳米线侧向VS生长的结果。Pt对GaN纳米线和早期的GaN成核是必需的,但对后期纳米线以外的其他纳米结构的生成并非必需。不同生长条件下vLS和vS机制的相互竞争最终决定了BaN的形貌。