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我们用一种新的晶体生长方法-熔体外延，在液相外延系统中，在（100）InAs衬底上生长出了室温截止波长11μm的InAsSb单晶。这是国内第一次生长出波长10μm以上的InAsSb材料，从而填补了我国长波红外InAsSb材料的空白。熔体外延具有创新的生长工艺，不同于液相外延等常规的晶体生长方法。傅立叶变换红外透过光谱证明InAsSb材料的室温截止波长超过10μm。X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构，且与InAs衬底取向一致，均为（100）方向，此表明外延层为单晶。霍尔测量的结果如下：295K 下，InAsSb的电子迁移率为4.75 x 104 cm2/Vs，载流子浓度为3.61 x 1016 cm-3；77K下，电子迁移率为2.86x104cm2/Vs, 载流子浓度为1.50 x 1016 cm-3, 显示了研制新型探测器的良好前景。