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该文针对新型电力半导体器件ＭＣＴ的ｄｖ／ｄｔ特性进行了实验研究，发现在较低正、负栅压和较高工作温度情况下，ＭＣＴ对ｄｖ／ｄｔ十分敏感。对这现象进行了理论分析。
MOS控制晶闸管(MCT)dv/dt敏感性的研究
【摘 要】
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该文针对新型电力半导体器件ＭＣＴ的ｄｖ／ｄｔ特性进行了实验研究，发现在较低正、负栅压和较高工作温度情况下，ＭＣＴ对ｄｖ／ｄｔ十分敏感。对这现象进行了理论分析。
【机 构】
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电力电子新技术研究开发中心
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议
【发表日期】
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1997年期
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