【摘 要】
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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在epi—GaN/Al2O3(0001)衬底上制备外延ZnO薄膜。研究了衬底温度在500～650℃范围内对ZnO薄膜的结构和光电特性的影响。制备的样品是纤
【机 构】
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山东大学物理学院,济南 250100
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在epi—GaN/Al2O3(0001)衬底上制备外延ZnO薄膜。研究了衬底温度在500～650℃范围内对ZnO薄膜的结构和光电特性的影响。制备的样品是纤锌矿结构的纯ZnO外延薄膜,具有(0002)的单一择优取向。衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响。在600℃衬底温度下制备的ZNO薄膜具有最高的电子迁移率121cm2/V-s。制各样品在可见光范围内的平均透射率超过75％。
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