本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率损伤增强效应，这有别于传统CMOS工艺DAC表现出的时间相关效应，但这种增强效应与传统双极工艺DAC相比要有所缓和.这一剂量率效应与BiCMOS工艺DAC的工艺特征密切相关，具体的失效机理仍需进一步深入研究。此外，对比两种BiCMOS工艺DAC功能失效模式，发现两者的功能曲线失效模式有所不同，这与两者的器件架构有关，MAX5222为R-2R架构DAC，R-2R网络中的开关阵列为互补开关，输出单元为缓冲运放，MAX5548为电流舵架构DAC，DAC模块为255个等权重的镜像电流源构成，这种架构中的差异性致使辐照致失效模块不同，并最终表现为两者功能曲线的失效模式上的区别。