相对于一元和二元半导体的研究,人们对Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4 型多元化合物半导体的认识还非常有限,目前仅有以Cu2ZnSnS4(CZTS)为代表的少数化合物得到较为系统的研究,如I2-ZnSnS4(I=Ag,Li,Na),Cu2-Ⅱ-SnS4(Ⅱ=Cd,Ca,Mg,Ba,Fe),Cu2Zn-Ⅵ-S4(Ⅵ=Ge,Si),Cu2ZnSn-Ⅵ4(Ⅵ=S,Se)等,这些化合物都是直接带隙半导体,已在光伏、热电、
三元阳离子和二元阴离子混合的(FA1-x-yMAxCsy)PbI3-zBrz 钙钛矿中，三种离子半径相近的阳离子和两种卤素阴离子共存，不仅可以调节容忍因子、抑制α-FAPbI3 相变、大大的提升了其本征稳定性；同时又可以抑制离子迁移和电荷复合，提升载流子提取效率和传输。
黄铁矿(FeS2)材料具有稳定好、无毒、成本低、材料来源广、光学带隙合适和吸光能力强等特点,但是目前制备的黄铁矿太阳能电池的效率与理论值相差还很大,对此研究者们认为有黄铁矿薄膜不纯、存在界面缺陷等多种原因[1,2]。
近年来，有机-无机杂化钙钛矿光敏材料有望推动下一代溶液法制备、高响应度、快速、大线性动态范围光电探测器的发展。特别地，钙钛矿型光敏电阻具有低成本制备和易集成等特性，在便携式、大规模集成器件等领域越来越受到研究人员的关注。
卤化铯钙钛矿(CsPbX3,X = Cl,Br,I)由于具有可调节的带隙、宽的吸收带、窄的发射带、高耐受性和高的光致发光量子产率而备受关注,是下一代用于光电设备的潜在材料1,2.然而,油酸OA 与油胺OLA 是合成传统CsPbX3 纳米晶(NCs)不可缺少的封端材料,但它们与晶体表面结合作用较弱,致使纳米晶易分解,对环境因素很敏感.
目前，金属卤族钙钛矿半导体材料既可作为吸光层在广泛应用与太阳能电池、光探测器和光闪烁器中，亦作为发光层应用于在光二极管、显示器和激光器等器件中。因此，对该类钙钛矿半导体材料的本征特性的研究亟待关注。
金属卤族钙钛矿半导体材料在太阳能电池，光二极管，传感器和其它光电器件的应用中表现出了显著的优良特性。零维的量子点钙钛矿结构不仅具有更高的钙钛矿相稳定性，还具更广泛钙钛矿材料的离子可调控性。
预合成的油溶性量子点由于其单分散性、稳定性和易合成性等优点而备受科研工作者的关注。我们通过原位配体交换法将预合成的油溶性CdSe 量子点直接沉积到不同类型双功能分子(MBA,TGA,TPA)修饰的以及空白未修饰的TiO2 膜上。