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研究了高能Ar<+>注入对pn结性能的影响。结果表明，利用正面高能Ar<+>注入，能在有源区下隐埋一层缺陷带，它能起吸杂中心的作用，可有效地净化表面有源区。用高能Ar<+>＋B<+>注入制备出了反向漏电流仅1.9nA／cm<2>（-1.4V）的二极管。
高能Ar<'+>注入对pn结性能的影响
【摘 要】
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研究了高能Ar注入对pn结性能的影响。结果表明，利用正面高能Ar注入，能在有源区下隐埋一层缺陷带，它能起吸杂中心的作用，可有效地净化表面有源区。用高能Ar＋B注入制备出了反向漏电
【机 构】
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铁道学院材料研究所
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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1998年期
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