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该会议文集共收录论文176篇,主要包括:半导体材料的新发展,半导体量子光电子学的发展,半导体我子集成器;HEMT结构的霍尔迁移率分布;在Si上外延掺稀土的CaAs及其发光;注硅半绝缘砷化镓中的少子和多子陷阱;低含铬半绝缘HB-CaAs单晶;热历史对半绝缘砷化镓单晶的深能级缺陷的影响;改进的CZ法生长CaSb晶体等。(赵庚新 摘)