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本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50 mm,长190 mm,直径80-100 mm,长150 mm的半绝缘磷化铟单晶。
半绝缘InP长单晶生长研究
【摘 要】
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本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然
【机 构】
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河北半导体研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2006年期
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