单晶生长相关论文
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体,因具有优异光电性能成为继SiC和GaN之后的第三代用于功率元件的宽禁带半导体,可广泛应用于航空航天......
钙钛矿型(ABO3)弛豫铁电单晶具有优异的机电耦合性能,被认为是研制下一代医疗超声换能器、高精度压电驱动器、水声换能器等机电耦合器......
第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点,其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备,主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、......
全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3具有优异的光电性能,在各种光电相关的领域中都表现巨大的应用潜力,尤其是核辐射探测领域。但CsPbBr3的......
近二十年来以PMN-PT单晶为代表的弛豫铁电材料在国际上获得了广泛研究开发与技术应用,跟PZT等传统铁电陶瓷材料比较,弛豫铁电单晶......
单晶光纤(SCF)是具有纤维结构的“准一维”功能晶体材料,在高能激光、高温传感、辐射探测、信息通信等国防民生领域展现出了巨大的......
fcc型贵金属纳米晶因其在催化、光学、磁学、生物医学等领域的广泛应用而备受关注。贵金属纳米晶的性能又与形貌、尺寸、成分以及......
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外......
2014年,研究人员利用高压合成技术制备出了层状超导材料AP2-xXx(A=Zr,Hf;X=S,Se),这类材料与铁基超导体111体系类似,都具有PbFCl型晶......
根据等离子炬焰熔法单晶生长结构特征,利用Fluent软件分析了等离子温度、燃气速度、外冷气速度、炉体结构对温度场的影响.结果表明......
本文以钙钛矿结构RMO3(R为稀土元素,M为过渡金属元素)体系为研究对象,以单晶生长、磁学和热力学效应作为切入点,系统研究了高质量HoFeO3......
目前常用的晶体生长方法包括水热法、提拉法、焰熔法等。这些单晶制备方法以常规电源或氢气等燃气为热源,温度、氧化还原条件受到......
过渡金属层状化合物由于其丰富的晶体结构种类和新奇的物理性质,一直以来都是凝聚态物理及材料化学领域研究的热点。已知的铜氧化......
量子自旋液体是指具有量子阻挫的磁性系统,在低温下形成的具有长程纠缠的量子态。该模型最初是在解决三角反铁磁格子的基态问题时......
近二十年来,拓扑概念从数学分支引入到凝聚态物理领域,并扩展到固体能带理论,极大促进了凝聚态物理的发展。从量子霍尔效应的发现,......
拓扑材料,包括拓扑绝缘体、拓扑半金属和拓扑超导体等,因其独特的电子结构和物理性质已成为凝聚态物理研究的前沿课题。AMnPn2(A=Ca......
同时具有铁电性、铁磁性的多铁性材料在新型信息存储器件以及多功能磁电器件等方面具有巨大潜在应用前景,近年来已成为凝聚态物理......
钨酸镉(CdWO4,简称CWO)单晶是在射线探测成像技术领域具有重要应用价值的闪烁材料,国际上仅有个别技术或产业机构采用提拉法生长出......
采用物理气相传输法,通过调节SiC生长过程中通入生长腔的N2流量(N2/(N2+Ar)-0~10%),改变晶体生长前沿的N分压,获得了不同掺N浓度的Si......
本文以Czockralski单晶生长系统中熔体热对流为研究对象,数值模拟出了具有不同波数的著名耗散结构-波样流动,并应用正交分解法抽出了......
在工业化生产中,利用石墨片与催化剂片交替放置的高温静压技术合成人造金刚石单晶最为常用.这种方法有一重要特征:总是存在一层金......
根据AgGaS晶体的生长习性,分析了AgGaS晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中......
根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶......
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平......
CsPbBr3晶体有三种结构:正交晶、正方晶和立方晶。两个相变分别发生在88℃和131℃的斜方-四方相变和四方-立方相变[1-2]。报道的CsP......
本文提出了一种包含了CFD方法、GMDH算法和NSGA-Ⅱ的混合策略,用于Cz法晶体生长建模及工艺参数优化。通过CFD得到了大量的实验样本;......
中远红外激光(特别是3-5μm和8-10μm波段)在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化铟锂(LiInSe2)晶体具有透过波段宽、热......
SiC材料作为第三代宽禁带半导体材料的代表,具有优良的物理性质和广阔的应用前景.本报告简单介绍了SiC材料的结构和基本性质,综述......
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计......
在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺......
本文测定了氢氧化铝(Gibbsite)的不同晶面在不同环境中生长的速率,以及氢氧化铝单晶形貌在不同环境中生长变化的规律以及晶体生长......
长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优......
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异......
通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(......
通过拉晶热场系统、单晶炉真空系统及计算机自控参数,掺杂机构、拉晶工艺等一系列改进,在国产TDR-62B单晶炉上采用12″热场成功地实现了大投料......
铁基超导体1111体系大尺寸、高质量的的单晶样品的获得,一直是一个难点;这极大地限制了很多研究手段对这个最早被发现、体材料中Tc最......
Ni3Al基高温单晶合金由于具有更高的组织稳定性、耐氧化性和高温持久强度,被认为应用于下一代飞机涡轮发动机叶片中最具有发展潜力......
随着InP基光电器件、微电子器件的不断成熟和市场不断增长的需求,要求衬底成本要有效的降低.生长<100>晶向较长磷化铟单晶的技术已成......
单晶光纤(single-crystal fiber),是一种纤维形态的晶体材料,凭借优异的物理和化学性能以及大长径比的结构特点在国防及民生领域都......
采用高温自助熔剂法制备了(Na0.5Bi0.5)TiO3-(K0.5Bi0.5)TiO3(简称:NBT-KBT)无铅铁电单晶,晶体尺寸为5 mm×6mm×1 mm.利用X射线......
本文采用化学气相传输(CVT)法生长了非超晶格Cr5Te8单晶。通过单晶X射线衍射重新确定了晶体结构,弥补了之前这一材料晶体结构来自......
Band structure reconstruction across nematic order in high quality FeSe single crystal as revealed b
We perform an in-plane optical spectroscopy measurement on high quality Fe Se single crystals grown by a vapor transport......
本文描述了一种将区域融熔法与Bridgman方法相结合的单晶生长炉,用它可生长直径为1—1.3cm、长度可达15cm且适用于超声研究用的萘(......
本文叙述了采用两温区水平炉由铟、砷和磷三种元素直接合成并采用熔区法生长磷砷化铟固溶体的设备及其主要工艺;给出了材料的主要......