【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算法,使用GGA+Ud+Up方法描述电子之间的关联,计算了四种GBΣ7晶界缺陷的形成能、态密度和电子结构,分析了四种晶界分别对应的态密度、电子结构、Zn 3d轨道平均能级和O 2p电子轨道的展宽,研究了晶界的存在对ZnO电导性影响和其微观机理。
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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算法,使用GGA+Ud+Up方法描述电子之间的关联,计算了四种GBΣ7晶界缺陷的形成能、态密度和电子结构,分析了四种晶界分别对应的态密度、电子结构、Zn 3d轨道平均能级和O 2p电子轨道的展宽,研究了晶界的存在对ZnO电导性影响和其微观机理。
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