半绝缘4H-SiC中本征缺陷的高温退火行为

来源 :第十七届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tianyawoaiai
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在高纯半绝缘材料中,材料的半绝缘性能是由材料的本征缺陷所决定,本征缺陷不仅影响载流子的输运特性,同时对浅能级杂质补偿也具有重要的作用。其中部分本征缺陷如VC、Vsi、VcVsi以及比VcCsi等本征缺陷已经通过电子顺磁共振(EPR)和光致发光谱(PL)检测到,且这些本征缺陷具有各自的高温退火行为。研究本征缺陷的退火行为有利于充分发挥材料的应用潜能。
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