【摘 要】
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微区光电流面扫描方法是一种非接触、原位、无损伤的测试方法。本文基于该测试方法对砷掺杂的长波 HgCdTe 红外探测阵列进行了低温和常温的光电功能表征，图 1(a)和图(b)分别为 89K 低温下 和290K 下测得的光电流信号数据，图 2 为 89K 和 290K 下器件的 I-V 特性曲线。
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
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微区光电流面扫描方法是一种非接触、原位、无损伤的测试方法。本文基于该测试方法对砷掺杂的长波 HgCdTe 红外探测阵列进行了低温和常温的光电功能表征，图 1(a)和图(b)分别为 89K 低温下 和290K 下测得的光电流信号数据，图 2 为 89K 和 290K 下器件的 I-V 特性曲线。
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