Two-Step Fabrication of Self-Catalyzed Ga-V(V=As,Sb)Nanowires on Si by Molecular-Beam Epitaxy

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yw101

【摘要】

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【作者】

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Xuezhe Yu Lixia Li Hailong Wang Jiaxing Xiao Chao Shen Dong Pan Jianhua Zhao

【机构】

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State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academ

【出处】

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中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

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2016年5期

【关键词】

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Molecular-beam epitaxy Ga catalyzed nanowires Si Ⅲ-Ⅴ semiconductor

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　　For epitaxial growth of Ga-based Ⅲ-Ⅴ semiconductor nanowires(NWs)on Si,Ga droplets could provide a clean and compatible solution contrary to the common Au catalyst.However,Ga droplets seem to only work in a limited growth temperature(Ts)range around 620 oC on Si.1-2 We have investigated low-temperature growth of Ga-catalyzed Ⅲ-Ⅴ NWs on Si(111)substrates by molecular-beam epitaxy.

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