【摘 要】
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具有钙钛矿结构的混价锰氧化物LaSrMnO是一种庞磁电阻材料.由于其在磁电阻存储器、读写磁头及各类磁传感器方面潜在的应用前景以及其丰富的物理内涵,一直引起人们的普遍关注.在过去的几年里,LaSrMnO薄膜以多种技术如脉冲激光沉积、MOCVD和磁控溅射等生长在不同基体上,对其界面和微观结构的研究方兴未艾.本文利用高分辨电子显微镜对以激光分子束外延技术生长在(001)SrTiO基体上的不同掺杂量LaS
【机 构】
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中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室(辽宁沈阳)
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具有钙钛矿结构的混价锰氧化物La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>是一种庞磁电阻材料.由于其在磁电阻存储器、读写磁头及各类磁传感器方面潜在的应用前景以及其丰富的物理内涵,一直引起人们的普遍关注.在过去的几年里,La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>薄膜以多种技术如脉冲激光沉积、MOCVD和磁控溅射等生长在不同基体上,对其界面和微观结构的研究方兴未艾.本文利用高分辨电子显微镜对以激光分子束外延技术生长在(001)SrTiO<,3>基体上的不同掺杂量La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>系列薄膜的微观结构进行了研究,确定了随Sr掺杂量不同La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>薄膜结构与形貌的变化规律.
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