采用磁控溅射法在LNO/SiO2/Si基底上沉积了Mn/Y共掺杂的BST薄膜,沉积温度为400℃.研究了钛酸锶缓冲层对Mn/Y共掺的BST薄膜的微观结构及电学性质的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,所有的BST薄膜呈钙钛矿结构且表面均匀、无裂纹.研究表明,当缓冲层厚度约为20nm时,BST薄膜具有较好的电学性能,在室温和100kHz时,其介电常数为450、介电损耗为0.
钛酸镧压电陶瓷居里温度高(TC=1500℃),是目前压电陶瓷中居里温度最高的陶瓷材料,但压电性能差,通过掺杂可以改善其晶体结构和晶粒形貌,从而提高其电性能.本文研究掺杂剂Sr对钛酸镧陶瓷的晶体结构、表面形貌及电性能的影响.研究结果表明：(La1-xSrx)2Ti2O7(x=0,0.05,0.1,0.2)陶瓷为单一的焦绿石相,无其它杂相,Sr固溶于La2Ti2O7陶瓷基体中；掺Sr可以显著细化其晶粒
Ferroelectrics with optical and electro multifunction have great potential applications in future optoelectronic devices.Doping is as widely applied technological process in materials science that inv
稀土正铁氧体RFeO3(R为稀土离子或Y离子)具有正交钙钛矿结构,其B位进行Mn离子掺杂后出现的有趣的磁现象以及磁介电效应引起了人们的广泛关注.2001年Y.Nagata等人对RFe1-xMnxO(3R=Pr,Gd,Dy)的磁性进行了研究,发现Mn离子的引入提高了RFeO3的自旋重取向温度TSR,降低了奈尔温度TN[1].文中从理论上还预言了此类化合物自旋重取向转变温度消失的临界点为Mn离子的掺杂
Samples of SrAl2O4:Eu2+(SAOE) powders have been synthesized by a solid state reaction method and their structural and luminescent properties were investigated.The XRD patterns of the reveal that it ex
LaAlO3介电常数较大,介电损耗小,与多种高温超导薄膜、铁电薄膜、巨磁阻薄膜等晶格失配小,可用作衬底、缓冲层或直接用作金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极材料,因而引起人们的研究兴趣.我们采用溶胶-凝胶法,在石英玻璃和Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了掺Eu3+的LaAlO3薄膜,研究了薄膜的结构、介电特性、光学特性以及光致发光特性.结果显示,退火温度明显影响薄膜的相结构.退火温度为800