【摘 要】
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对在硅基上制作微带线做了研究,发现金属布线和硅衬底之间的介质层对微带线的传输特性影响很大,在介质层SiO的厚度较薄(≤1μm)的情况下,硅的体电阻对微带线的传输特性影响很
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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对在硅基上制作微带线做了研究,发现金属布线和硅衬底之间的介质层对微带线的传输特性影响很大,在介质层SiO<,2>的厚度较薄(≤1μm)的情况下,硅的体电阻对微带线的传输特性影响很大,采用高阻硅可以制作传输特性良好的微带线;加厚布线层下面的介质层SiO<,2>可以改善微带线的传输特性,当SiO<,2>较厚(≥2μm)时,利用低阻硅也可以作出低损耗的微带线,基于以上的研究设计出了传输特性良好的特性阻抗为50ohm的微带线,为高频激光器的无源耦合提供了指导.
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