【摘 要】
：
由于贫铀特有的化学性质，其表面在大气中始终存在一层影响界面结合的氧化层。为了增强薄膜与铀基体之间的有效结合，需要采用先进的辉光放电技术对铀基体进行薄膜沉积前的原
【机 构】
：
中国工程物理研究院材料研究所,四川绵阳621900
【出 处】
：
TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
论文部分内容阅读
由于贫铀特有的化学性质，其表面在大气中始终存在一层影响界面结合的氧化层。为了增强薄膜与铀基体之间的有效结合，需要采用先进的辉光放电技术对铀基体进行薄膜沉积前的原位清洗。铀样品经金相砂纸逐级打磨并抛光，将样品放入俄歇电子能谱仪(AES)预制室，充入Ar气进行辉光放电清洗，清洗后用俄歇电子能谱仪对表面进行分析。将样品放入磁控溅射离子镀膜机真空室，样品经过加热除气后进行脉冲辉光放电清洗后原位沉积铝薄膜，取出进行AES界面分析。
其他文献
利用一种简单的水热法在FTO上合成了单晶锐钛矿纳米片阵列薄膜.通过改变氧化钛表面F离子的含量，使CdS选择性的沉积在低能{101}面上.对于锐钛矿，由于不同晶面表面的电子排布
Reservoir simulator constitutes the core of data analysis in petroleum reservoir development.With industrys advancements in unconventional resources, such a
忆阻器是一类高速、高密度、低功耗的非易失性阻变器件，按照电阻转变行为，忆阻材料可以分成电阻突变型和电阻渐变型两种。突变型适合应用在存储器、逻辑运算以及现场可编程
TiAlN涂层是目前应用最为广泛的切削刀具用涂层，为满足先进切削工艺的发展需求，通过多元合金化进一步改善TiAlN涂层的性能受到广泛的关注.通过TiAlN涂层的多元合金掺杂来改
合理密植可提高土地利用率,是提高作物产量的重要技术措施。但是,密度过大群体内光照不足,植株因其避荫性而竞争旺长,严重时倒伏,产量和品质反而下降。研究表明,避荫性与植物
自从以非晶IGZO为沟道层制备的氧化物薄膜晶体管(TFT)问世以来,非晶氧化物TFT一直被认为是新型显示技术领域取代传统硅基TFT的重要候选者.但是,In是一种非常宝贵的资源,
本文通过磁控多靶溅射系统,以化合物TiN靶和Ag靶在常温下沉积,分别沉积TiN薄膜和Ag-TiN复合薄膜,研究TiN薄膜晶相和亲疏水性。使用磁控共溅射获得Ag-TiN复合薄膜,通过XRD
忆阻器作为第四种无源基本电路元件,在下一代非易失性存储器、逻辑与神经形态计算领域具有重要应用前景.诸多n型忆阻材料,如TiOx、ZnOx、TaOx和HfOx等已被广泛报道,但p型
相变存储器作为最重要的下一代非易失存储器技术，其具有读写速度快，读写次数多，与现有工艺兼容等优势.然后受限于选通单元面积，相变存储器存储密度难以进一步提升.虽然0T1R结
二氧化钛是一种高效催化剂，在二氧化钛薄膜表面沉积纳米银颗粒形成纳米银/二氧化钛复合膜，不仅能够吸收紫外光还能够吸收可见光，并且减小电子与空穴的复合几率，因而提高了二