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分析了非均匀沟道MNOS结构器件总剂量辐射效应，建立了MNOS的总剂量辐射阈值电压变化公式。辐射情况下，分析不同的二氧化硅厚度对非均匀沟道MNOS结构阈值电压的影响。结果表明，非均匀沟道MNOS的二氧化硅厚度为12nm时，总剂量辐射导致的阈值电压漂移量接近于0。
非均匀沟道MNOS总剂量辐射效应
【摘 要】
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分析了非均匀沟道MNOS结构器件总剂量辐射效应，建立了MNOS的总剂量辐射阈值电压变化公式。辐射情况下，分析不同的二氧化硅厚度对非均匀沟道MNOS结构阈值电压的影响。结果表
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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