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4H-SiC肖特基二极管抗辐射特性的研究

来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wzcc1125

【摘 要】

：

本文讨论了高电压4H-SiC肖特基二极管的辐射效应,制备出肖特基接触金属为Ti金属的二极管,并对其抗总剂量辐照特性进行了研究.样品在经过1×106rad(Si)总剂量辐照以后,直流I-V

【作 者】

：

宁瑾 刘忠立 孙国胜 高见头 

【机 构】

：

中科院半导体研究所,北京市912信箱,100083

【出 处】

：

第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

肖特基二极管 总剂量辐照 辐照特性 肖特基接触金属 空间环境 辐射效应 高电压 直流 应用 样品 军事 

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本文讨论了高电压4H-SiC肖特基二极管的辐射效应,制备出肖特基接触金属为Ti金属的二极管,并对其抗总剂量辐照特性进行了研究.样品在经过1×106rad(Si)总剂量辐照以后,直流I-V特性没有明显变化,C-V特性稍有变化,因此,所制备的4H-SiC肖特基二极管具有良好的抗总剂量辐照特性,可以应用在极端恶劣的军事或空间环境中.

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