【摘 要】
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在利用MOCVD设备生长GaN材料时,很难避免C杂质的进入。而C的存在会对材料性能有诸多影响,为此弄清C在GaN外延薄膜中的浓度及分布状况,对有效控制GaN材料中的C污染,提高相关器件性能无疑是非常重要的。本文利用二次离子质谱仪(SIMS)定量分析了C在GaN薄膜中随深度的变化。
【机 构】
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南昌大学,国家硅基LED工程技术研究中心,江西南昌330047
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在利用MOCVD设备生长GaN材料时,很难避免C杂质的进入。而C的存在会对材料性能有诸多影响,为此弄清C在GaN外延薄膜中的浓度及分布状况,对有效控制GaN材料中的C污染,提高相关器件性能无疑是非常重要的。本文利用二次离子质谱仪(SIMS)定量分析了C在GaN薄膜中随深度的变化。
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