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以氧化锌为代表的简单体系极性氧化物具有独特的光电特性及高击穿电压、高电子饱和速率等优点,是继Ⅲ族氮化物之后在短波长光电子器件及高频高功率电子器件的应用方面又一重要的优选材料.氧化物界面二维电子气(2DEG)的奇异量子现象及调控机制成为当前材料与物理领域的研究热点.
高品质ZnO基异质结构的MOCVD外延研究
【摘 要】
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以氧化锌为代表的简单体系极性氧化物具有独特的光电特性及高击穿电压、高电子饱和速率等优点,是继Ⅲ族氮化物之后在短波长光电子器件及高频高功率电子器件的应用方面又一重要的优选材料.氧化物界面二维电子气(2DEG)的奇异量子现象及调控机制成为当前材料与物理领域的研究热点.
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093 北京大学物理学院,
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
其他文献
本工作利用自制的量产型MOCVD设备进行了ZnO纳米晶的生长,并完成了从六角晶到四角晶的一个连续调控过程.从SEM照片中可以看出,通过通入DEZn源流量的调节可改变纳米晶的结晶形貌.其中还罕见地出现了四角形的结晶形态图1(d),但此处为低压且低温生长,ZnO只能是六角纤锌矿结构.
会议
GaN基LED的失效主要来自于芯片有源层过热损伤、金属电极的稳定性、静电损伤(ESD)及封装材料的退化等.对GaN基LED来说,提升芯片结构中的电流扩展能力能提高ESD的良率[1].在早期LED的生长过程中,低温生长的MQW是直接沉积在高温n-GaN层上的,较大的生长温差会导致有源层的界面特性较差,从而引起缺陷的产生,而缺陷又成为电流泄露的通道,导致ESD良率下降.
会议
在MOCVD生长的SiC外沿薄膜上制备了雪崩型紫外探测器,并对该探测器的伏安特性、增益、暗计数等参数进行了研究,并利用源表、被动猝灭电路搭建了完整的单光子探测系统.测试结果表明,在反偏模式下,探测器在偏压达到188V左右进入盖革雪崩模式,增益超过1000.在低电压下,探测器的暗电流约为10-13A,接近系统的测试极限.单光子探测系统的测量结果表明,在无光照的情况下,探测器的暗计数约为5kHz.
会议
微晶硅材料是一种混合相材料,它里面包含有单晶硅颗粒、非晶硅以及一些空洞缺陷等.由于微晶硅是一种多相材料,因此其内部载流子传输机制较为复杂,目前仍无定论,而器件级微晶硅材料的制备也同样比较困难,材料的性能如晶化率、迁移率、吸收系数等与材料制备过程中的工艺条件紧密关联.
会议
碳化硅(SiC)有多种同质多型体,4H-SiC为最常见的一种,其布里渊区内晶格振动模有4A1+4B1+4E1+4E2,其中A1、E1、E2具有拉曼活性.背散射z(x,x)z几何配置下,可以获得A1(970cm-1)、E1(796cm-1)、E2(776cm-1)模的拉曼谱[1].SiC的各折叠模双分支的劈裂值随实验配置变化[2].
会议
中红外量子级联激光器(QCL)在医疗诊断、自由空间通信、遥感、生物工程、污染监测等关系国计民生的领域有重要应用前景.阻碍实际应用的一个重要因素是QCL由于衍射效应导致的较大远场发散角.本文研究了QCL的光束整形问题,解决了窄脊QCL光束发散的关键技术难题.
会议
深紫外LED在照明、探测器、印刷、杀菌消毒、环境保护等方面具有重大的应用价值和广泛的市场前景.经过多年的努力,深紫外AlGaN LED取得了重大的进展.然而,由于高Al组分AlGaN材料存在着外延困难、缺陷密度高、自发极化和压电极化强、掺杂激活难等技术难题,波长短于300nm的深紫外LED的发光效率普遍偏低.
会议
由于大功率半导体激光器具有结构简单、体积小、寿命长、易于调制、价格低廉等优点,被广泛应用于各个领域.900nm高功率半导体激光器主要应用于激光测距、激光制导和激光引信、半导体激光瞄准和告警等领域.本文将使用Crosslight公司的LASTIP软件和自主编写的WG7波导结构设计软件设计优化900nm超大光腔四叠层隧道级联激光器结构.采用金属有机化合物气相淀积方法(MOCVD)生长了AlGaAs/I
会议
高Al组分的p-AlGaN在紫外探测器、紫外LED等光电子器件中具有广泛的应用,但实现高电导性的p型AlGaN依然是现在需要解决的难题.在GaN中Mg的激活能大约200meV,在AlN中激活能在0.5-0.6 eV之间,这决定了在常温下只有大约1％的Mg杂质可以被激活,难以得到高的空穴浓度和良好的电导性能.
会议
本文研究了在Si衬底上免催化剂生长GaN基纳米线及其异质核壳结构的方法.将湿法化学刻蚀技术和MOCVD技术结合,利用GaN材料在Si不同晶面的异向外延特性,在不引入催化剂的前提下,合成高晶体质量、大纵横比,且密度、尺寸、掺杂、结构等物化性能灵活可控的GaN基纳米线及其异质核壳结构.
会议