【摘 要】
:
本文首先简要介绍了现有光导印制板(以下简称光导板)的技术特点,然后以一款测试板为主,介绍了该板的结构、制作控制以及后续的性能测试,最后对光导板未来的发展趋势作了展望。
论文部分内容阅读
本文首先简要介绍了现有光导印制板(以下简称光导板)的技术特点,然后以一款测试板为主,介绍了该板的结构、制作控制以及后续的性能测试,最后对光导板未来的发展趋势作了展望。
其他文献
本文通过在Si衬底上直接沉积AI膜,然后采用两步阳极氧化法自组织形成柱状纳米多孔结构,并进一步利用原位反向偏压和湿法刻蚀相结合,去除阻挡层,直接在Si衬底上大面积低成本形成纳米多孔掩膜板,并进一步通过湿法扩孔,实现了孔径在20-100 nm范围内可调,深宽比可在(2000-1)的均匀有序纳米孔状模板。该灵活可控均匀纳米多孔模板的实现,有助于实现廉价Si纳米结构器件,该廉价阳极氧化铝纳米膜板的制备也
采用低温Ge和SiGe/Ge超晶格相结合,吸收过滤因晶格失配在硅/锗界面处产生的失配位错向表面的穿透,制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上,通过热氧化形成二氧化硅绝缘层,制备出硅基Ge MOS电容,研究了氧化物介质与锗界面物理结构对电学特性的影响。
本文采用Langmuir探针对不同氢气流量下溅射系统中(Ar&H)-Si系等离子体进行了诊断,分析了离子密度、离子流通量、等离子体悬浮电位、电子密度、电子温度等参量的变化规律。结果表明,在同一个空间点上离子流通量随靶电流和氢分压的增大而增大,相对应的离子密度也会增加。电子密度随氢分压的增大降低,电子温度在改变靶电流和氢分压时都会发生波动式的变化。氢分压增大时,非品硅薄膜的沉积速率会先增大后减小。
固定电阻器电流噪声系数是电阻器质量管理与可靠性技术的表征参数。本文在固定电阻器噪声特性研究基础上,研究相关标准中的测试原理、方法和条件。对20世纪70年代国际电工委员会制定的国际标准IEC 60195、我国军用标准GJB 360A-96以及相关行业标准存在的问题进行说明,并提出了测试标准的修改建议。
本文采用传统的烧结工艺,制备了添加6wt%-12wt%的TiO2的Al2O3陶瓷,并且研究了添加TiO2所造成的物相组成和显微结构变化对微波介电性能的影响。结果表明:添加6wt%-12wt%的TiO2的Al2O3在1340℃烧结4 hrs可以获得致密的陶瓷。在该温度及更低的温度下烧结的样品,物相组成主要为Al2O3和TiO2。而1420℃烧结4hrs的样品中有明显的Al2TiO3相存在。其微波介电
本文采用固相合成法研究了掺杂ZnO对BaO-3TiO2陶瓷烧结温度和介电性能的影响,并与BaTi4O9微波介质陶瓷进行了对比研究。添加ZnO能使BaO-3TiO2陶瓷的烧结温度降到1100℃,SEM研究发现11 wt%的ZnO掺杂后在1120℃下烧结2h可以获得微观结构致密的BaO-3TiO2陶瓷。XRD分析发现,ZnO掺杂的BaO-3TiO2陶瓷中形成了Ba4Ti12O27和Ba4Ti13O30
本文研究了滤波连接器中使用的滤波电容器失效的各种原因及情况,深入研究了电容器从生产到装配整个过程可能发生失效的因素。引起电容器失效的原因多种多样,电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同,失效机理也各不一样。电容器的常见失效模式有:介质击穿、开路、电参数变化(包括电容量超差,损耗角正切值增大、绝缘电阻下降或漏电流上升等)、表面飞弧等。电容器击穿、开路等使电容器完全失去工作能力的失效属致
本文对比了三种主要POFV制作工艺流程,并针对各工艺流程的制作难点进行了分析与检测,总结了各工艺流程的优、缺点,为VIP孔制作选用合适工艺流程提供了参考与借鉴。
@@微电子集成技术的高速发展,使电子元件、逻辑电路体积成千上万倍地缩小,而工作频率急剧增加。功率消耗不断增大,导致元器件工作环境向高温方向变化。要使电子元器件仍能高可靠性长时间地正常工作,及时散发元器件产生和积累的热量,对于保证其使用寿命和精度很关键。如果作为元器件载体的电路基板具有较高的导热能力,可通过基板把热量向下传递到散热器,从而减少冷却硬件,综合持续地减小器件尺寸。本文介绍了铝基覆铜板技术
双面铝基印制板是采用双面铝基板结合双面印制板制造工艺而制作的。由于目前LED照明产品迅猛发展,除了单面铝基印制板广泛被使用外,双面铝基印制板也被LED照明产品所青睐。本文从双面铝基印制板的产品结构、制作时常见故障、材料的选择、工艺流程及管控要点进行阐述,为双面铝基印制板的生产提供了可借鉴的范例,并能指导与生产。