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研制太赫兹折叠波导行波管放大器时，器件尺寸处在亚毫米量级甚至更低，而且随着频率的升高，器件尺寸会进一步缩小，因此为了保证束流的高流通率和束波转换效率，除了需要提高束流密度以外，还必须对束流的品质加以限制，即对束流的横向发射度提出苛刻的要求。本文采用理论分析与数值模拟相结合的方法，分别对1.40GHz、220GHz和345GHz折叠波导行波管中的束流发射度的影响因素及其对直流导通率的影响进行了分析研究，总结了发射度随频率、结构参数和电子束参数的变化规律。研究发现，在太赫兹频段束流发射度直接决定着聚焦磁场的选取设计。