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单层硫化钼由于其诸多的新奇物性如直接-间接带隙可调性[1]，谷相关特性[2]及形成多体激子的能力[3]，而成为继石墨烯之后的新一代二维明星材料.然而现有的物理剥离及化学合成方法，要实现大面积均匀、严格单层的可控生长仍然存在一定的挑战.基于此，我们发展了一种结合范德华外延以及化学气相沉积的生长方法，成功地在云母基底上获得了厘米尺度层厚均匀的单层硫化钼样品.并通过一系列的形貌、光谱及透射电镜表征证明了该单层MoS2具有很高的晶体质量[4].进一步地，通过极化分辨的荧光测量，我们发现该单层硫化钼样品室温下的荧光谷极化度达到0.35(与机械剥离样品可比)，因而有可能成为研究谷电子学的模型体系.