【摘 要】
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该文报导了应用表面磁光克尔效应谱仪（SMoKE）研究对在GaAS（001）表面分子束外延的co膜磁学性质随膜厚度变化的实结果。研究人员发现，当生长温度为150℃时，co膜的矫力厚度的变化可以分为二个阶段，在1.5-6nm这一阶段中，Co随着一度的增加由最初的几乎为零迅速增大，在6nm到最大值；接下来，当co膜厚度大于6nm时，随着厚度的进一步增大，矫顽力并下继续增大，反而下降。另外，还对克尔信号随
【出 处】
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中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议
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该文报导了应用表面磁光克尔效应谱仪（SMoKE）研究对在GaAS（001）表面分子束外延的co膜磁学性质随膜厚度变化的实结果。研究人员发现，当生长温度为150℃时，co膜的矫力厚度的变化可以分为二个阶段，在1.5-6nm这一阶段中，Co随着一度的增加由最初的几乎为零迅速增大，在6nm到最大值；接下来，当co膜厚度大于6nm时，随着厚度的进一步增大，矫顽力并下继续增大，反而下降。另外，还对克尔信号随厚度的变化进行了测量。对GaAs表面外延co膜性质随厚度的变化进行了初步的研究。
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