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理论上证明1.4%的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,另外Ge与Si基CMOS工艺兼容. 张应变Ge优秀的电学性质与光学性质使之成为硅基光电集成绝佳的候选材料[2-4].量子点相对于薄膜来说可具有更大的应变量,从而更容易实现间接带隙到直接带隙的转变.