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采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向六方晶相转变的温度。掺杂Si可显著提高薄膜的晶态电阻率。当Si掺杂浓度为11.8at.%时,460℃退火后薄膜的晶态电阻率从1增加到11mΩ.cm。I-y特性显示,掺杂Si增加了器件的动态电阻,这有利于降低相变存储器的写电流。