【摘 要】
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A facile fabrication strategy via solvent-free e-spinning and followed in situ polymerization to fabricate stretchable and conductive polyaniline/polyurethane acrylate(PANI/PUA) nanofibers is reported
【机 构】
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Collaborative Innovation Center for Low-Dimensional Nanomaterials & Optoelectronic Devices,College o
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A facile fabrication strategy via solvent-free e-spinning and followed in situ polymerization to fabricate stretchable and conductive polyaniline/polyurethane acrylate(PANI/PUA) nanofibers is reported.
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六方氮化硼(h-BN)可有效隔绝基底/环境对二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)的电子掺杂作用,从而使其表现出高的载流子迁移率及更加本征的物理性质.我们选择金箔为基底[1],利用低压化学气相沉积法(LPCVD),先在金箔上直接生长了满层覆盖的高质量h-BN,然后在h-BN/Au上直接生长了亚单层甚至是满层的MoS2.
波浪形金属微纤维能以可拉伸互连线或阵列的形式用于制备柔性电子器件,但目前波浪形金属纤维及其阵列的可控制备主要依赖光刻技术,这限制了其大规模、低成本且高效的制备。为此,本文提出利用静电纺丝技术,可控制备波浪形聚苯乙烯微纤维及其阵列,并结合收集板的可控运动以及金属蚀刻技术,获得形貌可调的波浪形铜微纤维阵列及其柔性透明导体。
随着可穿戴设备的发展,对于可穿戴设备的供电要求也在不断提高。摩擦发电是一种日常生活中十分常见的发电现象,可以在人体正常的活动中将机械能转化为电能。目前的许多纳米摩擦发电机为刚性结构,且多采用金属或金属氧化物材料作为摩擦物质,这在一定程度上限制了其作为可穿戴设备的应用。
本实验利用高分子驻极体聚四氟乙烯(PTFE)和取向碳纳米管纤维制备了一种可见光驱动的光电转换器件。首先利用化学CVD法制得具有垂直取向的碳纳米管阵列,通过干法纺丝法得到具有优良导电能力和柔性的碳纳米管纤维状电极,再在纤维电极状表面浸涂PTFE层,经等离子体极化后,可将电荷注入PTFE层。
盐能够使氧化石墨烯聚沉.基于氧化石墨烯通过π-π键吸附适配体的作用,设计了一种新型的生物传感器来检测四环素.在盐溶液中,适配体能够保护氧化石墨烯不被沉淀;加入四环素后,四环素与四环素适配体结合从而使氧化石墨烯暴露在盐溶液中,通过离心,在230nm处测上清液的吸光度值.设计的四环素检测传感器具有很高的灵敏性,四环素含量在0.002~20 ng/mL呈现良好的线性关系,检测限为1.05×10-3ng/
石墨烯纤维比表面积高、导电性好、功能丰富,在诸多领域中具有重要的潜在应用。然而,一般制备得到的石墨烯纤维均比较脆,这将在很大程度上影响其实际应用价值,例如在未来可穿戴领域就需要纤维具有柔韧性及优良的弹性。
聚合物辅助无电沉积金属技术能够显著增加金属膜层与柔性基底之间的相互作用力,解决了两者之间模量不匹配的问题,同时也提高了柔性器件的抗形变能力[1]。在以往的研究中,我们展示了借助功能聚合物设计实现不同策略的图案化金属电极制备和以此为基础的柔性器件制备。
透明柔性导电的SnO2:Sb单晶纳米线可以作为软塑料上F16CuPc单晶纳米器件的电极使用,这包含了有机场效应晶体管的各向异性传输,可移动电极以及p-n节光伏器件.SnO2:Sb纳米线与F16CuPc纳米线有着良好的能级匹配和柔性接触,使得SnO2:Sb纳米线具有微纳电子和光电器件等多功能应用,并且具有良好的器件性能.再结合尺寸优势,使得导电的SnO2:Sb单晶纳米线有利于对高度有序的有机半导体本
可容纳大形变的超弹性导电复合材料是可穿戴设备、电子皮肤、弹性器件最基本也是最重要的基本零部件。然而,大形变和电阻稳定,是两个相互矛盾和对立的因素。刚性材料通常具有优异和稳定的导电性能,但是可拉伸性能差;柔性材料形变较大,但是导电性极差。
我们成功制备了以SnO2:Sb纳米带为源漏电极的SnO2单晶纳米带场效应晶体管。当暴露于NO2气氛环境下时,器件显示出异常特征,即阈值电压向负压方向发生偏移。通过与以SnO2纳米带为半导体,金属薄膜为源漏电极,和以SnO2:Sb纳米带为半导体,金属薄膜为源漏电极的两种场效应型气体传感器的气敏性能进行对比,在以SnO2:Sb纳米带为源漏电极,SnO2单晶纳米带为半导体构建的传感器中,SnO2:Sb纳