【摘 要】
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推导了GaN HEMT小信号等效电路模型参数计算公式,采用开路短路测试结构的方法提取PAD电容和寄生电感,反向截止方法提取寄生电阻,通过去嵌和灵敏度分析的方法优化本征参数.同
【机 构】
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华东师范大学信息科学技术学院,上海市东川路500号,200241
【出 处】
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中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会
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推导了GaN HEMT小信号等效电路模型参数计算公式,采用开路短路测试结构的方法提取PAD电容和寄生电感,反向截止方法提取寄生电阻,通过去嵌和灵敏度分析的方法优化本征参数.同时,利用ADS仿真工具对模型进行了仿真验证,模拟结果表明,在500MHz~40GHz频率范围内和在片S参数测试结果吻合很好.
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