【摘 要】
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用磁控溅射法制备了被钉扎层为CoFe/Ru/CoFe的lrMn基底钉扎自旋阀材料,制备过程中自由层与被钉扎层的生长磁保持不变,制备的自旋阀材料的巨磁电阻率为9.30％.在245℃的真空(＜10-
【机 构】
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杭州电子科技大学磁电子中心,浙江 杭州 310018
【出 处】
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第八届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
用磁控溅射法制备了被钉扎层为CoFe/Ru/CoFe的lrMn基底钉扎自旋阀材料,制备过程中自由层与被钉扎层的生长磁保持不变,制备的自旋阀材料的巨磁电阻率为9.30％.在245℃的真空(＜10-5 Pa)环境下,对在相同条件下制备的自旋阀材料样品在恒定外加磁场下退火2h,退火磁场方向与自由层易磁化轴垂直,退火磁场大小分别为1 kOe,3 kOe,5 kOe,7 kOe.用四探针法测试了退火后材料的磁电阻曲线.实验发现,当退火磁场为5 kOe时,自旋阀材料的钉扎方向完全转到与自由层易磁化轴垂直的方向,并且保持了退火前的的巨磁电阻率.当退火磁场增大为7 kOe时,退火后自旋阀材料的巨磁电阻率增大到10.19％.
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