【摘 要】
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以2,4-二硝基苯酚光催化降解为探针反应,考察了BiVO4的光催化降解活性。利用正电子湮没谱(寿命谱)分析了焙烧温度对BiVO4 光催化活性的影响,结果表明焙烧温度能引起特定的缺
【机 构】
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广州大学化学化工学院,广东广州,510006 广西大学化学化工学院,广西南宁,530004
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以2,4-二硝基苯酚光催化降解为探针反应,考察了BiVO4的光催化降解活性。利用正电子湮没谱(寿命谱)分析了焙烧温度对BiVO4 光催化活性的影响,结果表明焙烧温度能引起特定的缺陷数目变化,改变了光催化剂的微观结构。经900℃焙烧的BiVO4催化剂比经其它焙烧温度下的催化剂有较多的表面缺陷数目,可产生表面光生电子-空穴的数目较多,不均匀性、缺陷位的电子密度大,使得其光催化氧化活性增强,即2,4-二硝基苯酚的降解率较高。
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