Highly Sensitive Room Temperature Graphene-based Sub-terahertz Photoconductor via Electromagnetic Ga

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lamm
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  Generating electron-hole pair through photon absorption is routinely the photodetection process promoting widespread applications ranging from security to human life.Recently,exploiting terahertz(THz)photodetection technique receives unprecedented attention due to its great promising for noninvasive imaging,communication,etc1,2.However,it is still lacking of efficient way for sensitive room-temperature detection due to the low photon energy.
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MCNO flexible thermistors have been fabricated on polyethylene terephthalate or polyimide sheets by RF magnetron sputtering method at room temperature.The whole fabricating processes have been done at
三氧化钼是一种宽带隙的 n 型半导体材料,因其具有良好的气致变色和光致变色性 能,在信息显示、传感器、存储介质和智能窗等领域具有潜在的应用。本论文利用水热法合 成三氧化钼,该方法是一种以原材料直接混合加以高温高压制备三氧化钼最直接、最简单的 技术。该方法制备的一维三氧化钼(MoO3)纳米线具有更高的比表面积,合成后再添加钯量 子点进行修饰。
时间分辨和自旋分辨的角分辨光电子能谱系统是了解材料能带结构,研究材料物理参量变化过程的重要工具.在ARPES 系统中,UVS Helium Lamp 作为光源(~20eV),经过半球分析仪的电场作用下,不同能量和角动量的电子被分离,在CCD camera 中观察到其表面静态的自旋分辨能带结构,能量分辨3 meV.同时,我们利用超短脉冲极紫外光源来实现时间分辨的ARPES.
Achieving multicolor detection within a single device is highly pursued,where we can realize accurate detections and also reduce the complexity,weight,and cost of structure at the same time.The two-di
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在液氦低温环境下,利用高灵敏度与高分辨率的傅立叶变换红外光谱技术,对高纯同位素p 型硅样品的Fano 共振及其声子伴线发生位置进行了实验测量与鉴定。在确定好高纯硅样品光热电离激发的工作温度区域基础上,重点测量了来自同位素硅中浅受主杂质硼(B)不同系列的能级跃迁信号。
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Coutts T.J.[1]等人为了获得具有良好光学和电学性能的TCO薄膜做了大量努力,发现若是通过增 加载流子浓度来提高电导率则会导致薄膜透过率的降低.Drude电子模型证明,只有提高迁移率,才能 在不降低透过率的同时提高电导率.另外,Parthiban S等人[2]证明减少载流子浓度可以在不降低电导率 的情况下提高透过率.
室温下,利用射频磁控溅射技术在 p 型硅衬底和玻璃衬底上,不同氧分压下制备了厚度约为200nm 的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,利用椭圆偏振光谱技术[1]表征了 ITZO 薄膜的光学特性,通过霍尔测试表征了 ITZO 薄膜的电学特性(如图 1 示),通过对 比研究了溅射过程中氧分压的不同对 ITZO 薄膜结构和光电性能的影响。
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