【摘 要】
：
采用自洽场离散变分Xa(SCC DV Xa)方法对纯VO及VO复合薄膜不同状态的O轨道电子态密度和键强度等进行了研究;采用X射线光电子能谱(XPS)分析了VO结构中氧的化学状态.计算结果与实验结果对比发现,VO结构中存在四种状态的氧,聚合物(PEO)或聚合物(PEO)-Li嵌入VO结构主要存在于层间的位置,层间物质的引入导致双键氧的含量降低,三键氧的含量增加.
【出 处】
：
第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
采用自洽场离散变分Xa(SCC DV Xa)方法对纯V<,2>O<,5>及V<,2>O<,5>复合薄膜不同状态的O<,1s>轨道电子态密度和键强度等进行了研究;采用X射线光电子能谱(XPS)分析了V<,2>O<,5>结构中氧的化学状态.计算结果与实验结果对比发现,V<,2>O<,5>结构中存在四种状态的氧,聚合物(PEO)或聚合物(PEO)-Li<+>嵌入V<,2>O<,5>结构主要存在于层间的位置,层间物质的引入导致双键氧的含量降低,三键氧的含量增加.
其他文献
采用氨水-尿素沉淀法,研究了不同pH值条件下制得α-FeO纳米粉体的性能,对制备过程中氢氧化铁前驱体分散性和表面电位之间的关系进行了系统的研究,并从双电层理论及反应机理分析了pH值对沉淀的形成及团聚状态的影响,得到了反应的优化条件(溶液的pH值应控制在9以上),制得了粒径小、颗粒分布均匀、少团聚的α-FeO纳米粉体.
由溶胶凝胶法制备出Pd/r-AlO催化膜及镧掺杂改性的La/Pd/r-AlO膜,研究了镧的掺杂对Pd/r-AlO膜热稳定性的影响.用DTA,XRD,GET分别对膜的晶相和微孔结构(包括比表面积,孔径和孔容)进行了研究,结果发现:镧的掺杂明显提高了a-AlO的相变温度和高温下Pd/r-AlO催化膜的热稳定性.Pd/r-AlO经1100℃处理5h后,其比表面积,孔径和孔容分别为4.46m/g,35.1
采用中空柱状阴极直流磁控溅射装置制备了YBCO超导薄膜.应用原子力显微镜(AFM)研究了在最佳工艺条件下,沉积在LaAlO和Zr(Y)O上的具有C轴取向的YBCO超导薄膜及其相应衬底的表面形貌.结果表明:生长的YBCO膜都具有较好的表面结构.在LaAlO单晶衬底上的YBCO膜形成大颗粒岛状结构,颗粒生长整齐;尺寸大小均匀;生长在单晶Zr(Y)O上的YBCO膜则形成起伏较大的层状与岛状生长的混合结构
本文采用掺杂的方法,制备了掺杂型环氧树脂,用胺类进行固化,研究了稀释剂、掺杂剂、固化剂等因素对固化物的电性能、机械性能的影响.实验结果表明:采用掺杂的方法,可以制备性能良好的抗静电、屏蔽材料.
本文报道一种用于激光限幅的新材料——长碳链八烷氧基金属酞菁及其在甲苯中的光限幅特性.目标分子是八-β-十二烷氧基镍酞菁((CHO)PcNi)和铅酞菁((CHO)PcPb).对于8ns脉冲激光,在532nm处T/To=0.5时,((CHO)PcPb)的限幅阈值是27mJ/cm,而在同样条件下测定的C的限幅阈值是170mJ/cm;在高入射能流下(≥4J/cm),样品溶液的非线性透过率可低至1℅,但尚未
软磁薄膜材料与器件是近期国际国内电子器件实现“小.轻.薄.精”的热点.本文报道了高性能软磁薄膜的溅射工艺,纳米晶化和性能改进的途径.基于已研制的Fe基、Co基纳米晶软磁薄膜,成功制备出薄膜变压器和电感器,使绕组、磁芯、绝缘膜层全薄膜化.薄膜变压器的初级电感在0.5～0.6μH之间,次级电感0.3～0.4μH之间,工作频率f<20MHz.
本文应用差热分析(DTA)、光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)等技术,系统研究了SiO-AlO-MgO-F系玻璃和玻璃陶瓷在等温条件及中间过渡相析出的条件下析晶组织转变和转变动力学.在等温析晶条件下,针状云母晶体首先从玻璃体表面形核,然后以一维模式向玻璃体内部长大;在中间过渡相析出条件下,云母晶体以团簇状二维模式长大.同时发现,过渡相的析出也大大降低了云母晶体的析出活化能.
采用α-FeOOH(平均长度为500nm,平均轴比为14)和BaCo及添加离子经局部规整反应制备针状钡铁氧体.利用XRD、TEM、TG-DTA表征热处理后粒子的形态结构.结果表明原料中加入1℅wt防烧结剂,经800℃热处理2h后样品组成为单相六角晶系针状BaFeCoTiO,平均长度为400nm,平均轴比为8左右,该样品的矫顽力Hc=15125A/m,比饱和磁化强度σs=55.03emu/g.
以FeCl为原材料利用溶胶凝胶法制备α-FeO纳米粉,应用X射线衍射和扫描电镜研究干凝胶晶化温度对α-FeO的晶态转变以及粒子形貌和尺度的影响.实验表明,在300℃处理2h获得10～20nm均匀纳米粒子.
采用2.45GHz多模腔微波炉在低于常规烧结温度160℃的温度下成功制备了(BaSr)TiO致密陶瓷,并对样品进行了XRD、R-T、SEM及复阻抗测试分析.试样基本配方为BaSrTiO+2℅TiO+2℅SiO+0.3℅Y(NO)+0.2℅Al(NO)(摩尔比).经配料、球磨、预烧、二次混磨、成型过程后,对同批次样品采用微波烧结及常规烧结对比实验.微波烧结为1190℃恒温10min,升温速率为15℃