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磷酸银的间接带隙宽度为 2.36 eV,直接带隙宽度为 2.43 eV,可以吸收波长小于520nm 的太阳光,是一种具有可见光活性的半导体材料.自2010 年日本的叶金花等人在《Nature Materials》报导Ag3PO4 半导体材料在分解水产氧以及降解有机染料等方面具有极高的光氧化活性[1],磷酸银就得到了广泛的研究.