合成工艺对高岭石/纳米银插层复合物结构的影响

来源 :第十二届全国高校金相与显微分析学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wh54997695
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利用高岭石特殊的纳米级层间域环境,以插层率为96.42[%]的高岭石/二甲基亚砜(DMSO)插层复合物为前驱体,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,采用化学还原插层法和水热插层法制备高岭石,纳米银插层复合物。通过XRD,FTIR,TEM分析测试方法,考察了合成工艺对高岭石,纳米银插层复合物结构的影响。XRD和FTIR的分析证实DMSO成功插入高岭石层间,为纳米银在高岭石层间的生成提供了一个非常必要的条件;采用水热插层法合成出的纳米银结晶度较化学还原插层法高;TEM图像显示,采用两种合成工艺得到的金属银粒径都在纳米尺度范围内,但化学还原插层法合成的高岭石/纳米银插层复合物中纳米银有团聚现象,粒径较不均匀,而水热插层法合成的复合物中纳米银粒径均匀,分散状况良好。
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