基于栅应力电流的SiO2可靠性预测统一模型

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:radeon0118
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关于SiO<,2>可靠性预测模型已经历多年的争论.本文介绍了基于栅应力的SiO<,2>可靠性预测模型,探讨了电场加速应力实验中,常常观察到电场加速因子偏小的原因.
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