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会议论文
基于栅应力电流的SiO2可靠性预测统一模型
基于栅应力电流的SiO2可靠性预测统一模型
来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:radeon0118
【摘 要】
:
关于SiO可靠性预测模型已经历多年的争论.本文介绍了基于栅应力的SiO可靠性预测模型,探讨了电场加速应力实验中,常常观察到电场加速因子偏小的原因.
【作 者】
:
谭长华
许铭真
【机 构】
:
北京大学微电子研究所(北京)
【出 处】
:
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
加速应力
电流
可靠性预测模型
电场加速因子
实验
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关于SiO<,2>可靠性预测模型已经历多年的争论.本文介绍了基于栅应力的SiO<,2>可靠性预测模型,探讨了电场加速应力实验中,常常观察到电场加速因子偏小的原因.
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