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Si83Ge17/Si压应变衬底上HfO2栅介质薄膜的电学性能
【机 构】
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西南大学物理科学与技术学院,重庆北碚,400715
【出 处】
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中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
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2011年9期
其他文献
We perform the calculations in Sr7Ti9O14 (Sr/Ti=7/9=77.7％) and discuss the effects of Ti-rich on the ferroelectricity and ferromagnetism.And the bandstructure and DOS(density of state) calculation is
会议
本文采用传统的固相法制备铁氧体Ni0.37Zn0.63Fe2O4 (NZF)和铁电体PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)复合陶瓷:xNZF+(1-x) PZT (x=0.1,0.2,0.3,0.4).通过XRD 图谱说明生成了铁磁和铁电相两项,没有杂相生成.
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