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纤锌矿GaN/InGaN核-多壳层结构纳米线中的界面光学声子
【机 构】
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中国 呼和浩特 内蒙古大学 物理科学与技术学院 010021 中国 呼和浩特 内蒙古大学 网络中心
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
The layered graphene was deposited by exploit technique,and the graphene based field effect transistor was fabricated by ultraviolet photolithography method.
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