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基于二硫化钼单层的THz透明电极
【机 构】
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南昌大学高等研究院微尺度科学实验室,江西南昌,330031;南昌大学高材料学院,江西南昌,330031
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
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本文采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb 衬底生长InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(<2 微米),短波(2-3 微米)以及中波(3-5 微米)红外探测.在77 K 下,超短波范围内对应的50%截止波长为1.91 微米,峰值为1.84 微米,Johnson 限制噪声探测率达1.1*1013 Jones;在短波范围内,对应的50%截止波长为2.56 微米,峰值波
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